InGaAs 光电二极管

特点高速、高灵敏度、低噪声、气体传感。

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铟镓砷光电二极管
WIMT-01A
铟镓砷光电二极管 200x200 µm 900-1740 nm 1650 nm 0.95 A/W 1 nA TO-46 非冷却型 310x310 um
铟镓砷光电二极管
WIT3-500A
铟镓砷光电二极管 500x500 µm 900至1740 nm 1650 nm 1.05 A/W 1 nA TO-46 非冷却型 650x650 um
铟镓砷光电二极管
WIT3-500AH
铟镓砷光电二极管 500x500 µm 900至1740 nm 1650 nm 1 A/W 1 nA TO-46 非冷却型 650x650 um
铟镓砷光电二极管
WIT3-500E
铟镓砷光电二极管 500x500 µm 900至1740 nm 1650 nm 1 A/W 1 nA TO-46 非冷却型 650x650 um
铟镓砷光电二极管
WIT3-1000A
铟镓砷光电二极管 1000x1000 µm 900至1740 nm 1650 nm 1 A/W 2.5 nA TO-46 非冷却型 1150x1150 um
铟镓砷光电二极管
WIT3-1000B
铟镓砷光电二极管 1000x1000 µm 900至1740 nm 1650 nm 1 A/W 2.5 nA TO-46 非冷却型 1150x1150 um
铟镓砷(大球)光电二极管
WIT3-1000BA
铟镓砷(大球)光电二极管 1000x1000 µm 900至1740 nm 1650 nm 1 A/W 2.5 nA TO-46 非冷却型 1150x1150 um
铟镓砷(斜窗)光电二极管
WIT3-1000X
铟镓砷(斜窗)光电二极管 1000x1000 µm 900至1740 nm 1650 nm 1 A/W 2.5 nA TO-46 非冷却型 1150x1150 um
铟镓砷(斜窗) 光电二极管
WIT4-1000L new
铟镓砷(斜窗) 光电二极管 1000x1000 µm 900至2200 nm 2004 nm 1.2 A/W 1000 nA TO-46 非冷却型 1150x1150 um
2200nm光电二极管
WIT4-1000G new
2200nm光电二极管 1000x1000 µm 900至2200 nm 2004 nm 1 A/W 1000 nA TO-46 非冷却型 1150x1150 um
铟镓砷光电二极管
WIT5-1000G
铟镓砷光电二极管 1000x1000 µm 900至2600 nm 2330 nm 1 A/W 9000 nA TO-46 非冷却型 1150x1150 um
铟镓砷光电二极管
WIT3-1000B3
铟镓砷光电二极管 1000x1000 µm 900至1740 nm 1650 nm 1 A/W 2.5 nA TO-46 非冷却型 1150x1150 um
铟镓砷光电二极管
WIMT-01AX new
铟镓砷光电二极管 200x200 µm 900至1740 nm 1650 nm 0.95 A/W 1 nA TO-46 非冷却型 310x310 um
铟镓砷光电二极管
WIT3-300AX
铟镓砷光电二极管 300x300 µm 900至1740 nm 1650 nm 0.95 A/W 1 nA TO-46 非冷却型 430x430 um
铟镓砷光电二极管
WIT3-2000B
铟镓砷光电二极管 2000x2000 µm 800至1740 nm -- 0.9 A/W 20 nA TO-5 非冷却型 2300x2300 um
低成本甲烷探测器
WIS3-300A new
低成本甲烷探测器 300x300 µm 900至1740 nm 1650 nm 0.95 A/W 1 nA SMD 非冷却型 410x410 um
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Product information / Devices for UV Detection

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Technical note

Technical note / Si photodiodes

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Technical note / Si detectors for high energy particles

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Technical note / Photosensor amplifiers, Photodiode modules

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