InGaAs PD 芯片
用于近红外光探测的 InGaAs 光电探测器。其特点包括高速、高灵敏度、低噪声和 900 nm 至 2600 nm 的灵敏度波长范围
产品信息
筛选依据
产品编码
目录
Selection guide / Si photodiodes
Product information / Devices for UV Detection
技术说明
Technical note / Si photodiodes
Technical note / Si detectors for high energy particles