InGaAs PD 芯片

用于近红外光探测的 InGaAs 光电探测器。其特点包括高速、高灵敏度、低噪声和 900 nm 至 2600 nm 的灵敏度波长范围

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结电容
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铟镓砷PD芯片
WIR3-01B
铟镓砷PD芯片 200 x 200 µm 900至1740 nm 1650 nm 0.95 A/W 1 nA 3 pF 310 x 310 um
铟镓砷PD芯片
WIR3-300
铟镓砷PD芯片 300 x 300 µm 900至1740 nm 1650 nm 0.95 A/W 1 nA 7 pF 430 x 430 um
铟镓砷PD芯片
WIR3-500
铟镓砷PD芯片 500x500 µm 900至1740 nm 1650 nm 0.95 A/W 1 nA 15 pF 650x650 um
铟镓砷PD芯片
WIR3-1000
铟镓砷PD芯片 1000x1000 µm 900至1740 nm 1650 nm 1 A/W 2.5 nA 55 pF 1150x1150 um
铟镓砷PD芯片
WIR3-2000
铟镓砷PD芯片 2000x2000 µm 900至1740 nm 1650 nm 0.95 A/W 25 nA 550 pF 2300x2300 um
2200nm铟镓砷PD芯片
WIR4-1000 new
2200nm铟镓砷PD芯片 1000x1000 µm 900至2200 nm 2004 nm 1.2 A/W 1000 nA 440 pF 1150x1150 um
铟镓砷PD芯片
WIR5-1000
铟镓砷PD芯片 1000x1000 µm 900至2600 nm 2330 nm 1.2 A/W 9000 nA 440 pF 1150x1150 um
铟镓砷PD芯片
WIMA-5000
铟镓砷PD芯片 5000x5000 µm 900至1600 nm 1310 nm 0.9 A/W 225 nA 3500 pF 5240x5240 um
铟镓砷PD 芯片
WIMA-3000
铟镓砷PD 芯片 3000x3000 µm 900至1600 nm 1310 nm 0.9 A/W 75 nA 1000 pF 3280x3280 um
铟镓砷PD芯片
WIMA-1000
铟镓砷PD芯片 1000x1000 µm 900至1600 nm 1310 nm 0.9 A/W 2.5 nA 55 pF 1150x1150 um
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