Silicon PD 芯片

具有高灵敏度和低暗电流的硅光电探测器，以及适用于高速应用的硅 PIN 光电二极管

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感光面尺寸
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波长响应范围
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峰值波长
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暗电流（最大值）
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结电容
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芯片尺寸
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无磁硅PD芯片
WS43-01B new
无磁硅PD芯片 2000x2000 µm 400至1100 nm 940 nm 50 nA 15 pF 2700x2400 um
硅PD芯片
WS9A-01C
硅PD芯片 880x880 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 11 pF 960x960 um
硅PD芯片
WS9B-01C
硅PD芯片 2160x2160 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 16 pF 2440x2440 um
硅PD芯片
WS9C-01C
硅PD芯片 2032x2032 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 30 pF 2880x2880 um
硅PD芯片
WS9D-01C
硅PD芯片 1016x1016 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 11 pF 1270x1270 um
硅PD芯片
WS9E-01C
硅PD芯片 2845x2845 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 16 pF 3048x3048 um
硅PSD芯片
WS9F-01C
硅PSD芯片 3250x1016 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 22 pF 3657x1422 um
无图
WS9G-01C
硅PD芯片 2620x1100 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 20 pF 2800x1280 um
硅PD芯片
WS9H-01C
硅PD芯片 510x510 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 8 pF 660x660 um
硅四象限PD芯片
WS9I-01C
硅四象限PD芯片 4000x4000 µm 400至1100 nm 1064 nm 10 nA 60 pF 5000x5000 um
硅PD芯片
WS9Z-01C
硅PD芯片 2844.8×2844.8 µm 400至1100 nm 525 nm 10 nA 16 pF 3048×3048 um
硅PD芯片
WS56-01C
硅PD芯片 1015x1015 µm 400至1100 nm 940 nm 1 nA 11 pF 1420x1420 um
硅PD芯片
WS59-10C
硅PD芯片 558.8×558.8 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 9 pF 711×711 um
硅编码器光栅PD芯片
WS81-01C new
硅编码器光栅PD芯片 160 X 3600 X 24(pcs) µm 400至1100 nm 940 nm 5 nA 15 pF 4980x3820 um
硅PD芯片
WS88-01C
硅PD芯片 6000×6000 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 35 pF 6750×6750 um
硅PD芯片
WS93-01C
硅PD芯片 1346 x 1346 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 10 pF 1600x 1600 um
硅PD芯片
WS94-01C
硅PD芯片 750×500 µm 430至1100 nm 940 nm 10 nA 10 pF 890x640 um
硅PD芯片
WS95-01C
硅PD芯片 550x550 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 9 pF 680x680 um
硅PD芯片
WS97-01C
硅PD芯片 2768x2768 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 23 pF 3000x3000 um
硅PD芯片
WS98-01C new
硅PD芯片 875x875 µm 430至1100 nm 940 nm 10 nA 11 pF 965x965 um
硅PD芯片
WS99-01A
硅PD芯片 250x250 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 2 pF 410x410 um
硅四象限PD芯片
WS9I-02C
硅四象限PD芯片 9000x9000 µm 400至1100 nm 1064 nm 10 nA 150 pF 10000x10000 um
硅四象限PD芯片
WS9I-03C new
硅四象限PD芯片 15000x15000 µm 400至1100 nm 1064 nm 10 nA 350 pF 16000x16000 um
激光陀螺芯片
WS9N-01A
激光陀螺芯片 1168 × 558 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 10 pF 1320 × 711 um
硅PD芯片
WS9J-10B
硅PD芯片 533 ×533 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 9 pF 762 × 762 um
硅PD芯片
WS9J-01A
硅PD芯片 533 ×533 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 9 pF 762×762 um
硅PD芯片
WS9K-10B
硅PD芯片 609×609 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 9 pF 838×838 um
硅PD芯片
WS9K-01A
硅PD芯片 609×609 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 9 pF 838×838 um
硅PD芯片
WS9M-01A
硅PD芯片 1422×1422 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 11 pF 1680×1680 um
硅PD芯片
WS9L-01A
硅PD芯片 1346×1346 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 11 pF 1520×1520 um
硅PD芯片
WS9L-10B
硅PD芯片 1346×1346 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 25 pF 1520×1520 um
硅PD芯片
WS56-01B
硅PD芯片 1016×1016 µm 400至1100 nm 940 nm 10 nA 11 pF 1420×1420 um
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Selection guide

Selection guide / Si photodiodes

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Product information / Devices for UV Detection

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Technical note

Technical note / Si photodiodes

Technical note

Technical note / Si detectors for high energy particles

Technical note

Technical note / Photosensor amplifiers, Photodiode modules

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